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参数目录38866
> SIA811DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
型号:
SIA811DJ-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SIA811DJ-T1-GE3 PDF
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
94 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds
355pF @ 10V
功率 - 最大
6.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装
PowerPAK? SC-70-6 双
包装
带卷 (TR)
查看SIA811DJ-T1-GE3代理商
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